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| 规格书 |
 IPB108N15N3 G,IPx111N15N3 G |
| 标准包装 | 500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 150V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 83A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 11.1 mOhm @ 83A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 160µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 55nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 3230pF @ 75V |
| 功率 - 最大 | 214W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 供应商器件封装 | PG-TO262-3 |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3TO-262 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 150 V |
| 最大连续漏极电流 | 83 A |
| RDS -于 | 11.1@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 17 ns |
| 典型上升时间 | 35 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 32 ns |
| 典型下降时间 | 9 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 83A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 160µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 150V |
| 供应商设备封装 | PG-TO262-3 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 11.1 mOhm @ 83A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 214W |
| 封装/外壳 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 3230pF @ 75V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 55nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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